Si5513CDC
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
D u ty Cycle = 0.5
t 2
t 2
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
N otes:
P DM
t 1
t 1
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 95 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
0.01
Single Pulse
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Document Number: 68806
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
www.vishay.com
7
相关PDF资料
SI5519DU-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
SI5853CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
SI5853DDC-T1-E3 MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8
SI5857DU-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET
SI5858DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI5903DC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI5905BDC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
相关代理商/技术参数
SI5513CDC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH COMPLIMENTARY MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5513DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI5513DC-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5513DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5513DC-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI5513DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5515CDC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI5515CDC_10 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET